andrey

Путь к Файлу: /ЕРТТ / Информационные технологии / лабораторные работы / Лабораторная работа №3.doc

Ознакомиться или скачать весь учебный материал данного пользователя
Скачиваний:   0
Пользователь:   andrey
Добавлен:   21.12.2014
Размер:   32.0 КБ
СКАЧАТЬ

Лабораторная работа № 3

Тема: Исследование биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой

 

Цель работы: исследование биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой и определение основных параметров.

 

Ход работы

 

1.Отчет оформить в текстовом редакторе MS WORD.

Отчет должен содержать:

· Титульный лист (указать название работы,ФИО,группу);

· Цель работы;

· Принципиально-электрические схемы;

· Таблицы данных;

· Графики;

· Ответы на задания;

· Верхний колонтитул с ФИО;

· Нижний колонтитул с датой выполнения.

2. Вычертить принципиальную электрическую схему лабораторной работы.

 

 

Лабораторная работа №3

 

 

 

 

 

3. Построить семейства входных статических характеристик транзистора во включении  по схеме ОБ, используя данные таблицы.

Предварительно выполнить условие                                  

                          ↓

Параметр

     ↓

Задаем ток Iэ регулятором

источника G1 по прибору Р1.

Iэ(мА)

0,0

5,0

10

20

40

60

80

120

180

200

Г1

Uкб=0,0В, т.е.G2→0

-Uбэ (В)

0,38

0,4

0,43

0,46

0,5

0,52

0,57

0,63

0,69

0,71

Г2

Uкб=5,0В,  т.е.G2→0, 6

-Uбэ (В)

0,35

0,42

0,44

0,46

0,51

0,52

0,56

0,6

0,63

0,64

Г3

Uкб=10В,

т.е. G2→0, 9

-Uбэ (В)

0,36

0,39

0,43

0,47

0,49

0,52

0,56

0,59

0,61

0,66

Графики строить в табличном процессоре MS EXCEL, используя Мастер диаграмм

При этом 1 деление оси графика должно соответствовать:

· по оси Uэб должен соответствовать 0,1В

· по оси Iэ – 20мА.

4. Построить семейство выходных статических характеристик транзистора во включении по схеме ОБ, используя данные таблицы.

 

Предварительно выполнить условие                                  

                          ↓

Параметр

     ↓

Задаем условные положения

Регулятором источника G2

0,0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,8

0,9

1,0

Uкб(В)

0,0

0,5

1,0

2,0

3,0

4,0

5,0

6,0

8,0

10

12

Г1

Iэ=80мА= const

Iк(мА)

72

76

77

78

79

79

79

79

79

79

79

Г2

Iэ=120мА=const

Iк(мА)

100

110

114

118

118

118

118

118

118

118

118

Г3

Iэ=160мА=const

Iк(мА)

140

150

160

170

170

170

170

170

170

170

170

Графики строить в табличном процессоре MS EXCEL, используя Мастер диаграмм

 5. Обработать результаты эксперимента в соответствии с разделом «Задание» настоящей инструкции.

6. При оформлении отчета придерживаться той же цифровой и буквенной нумерации ответов, что и в разделе «Задание» данной инструкции.

 

Задание.

Используя экспериментальные статические характеристики транзистора, выполнить следующие операции:

1. Определить статическое сопротивление эмиттерно-базового перехода транзистора в режиме: Uкб = 5В, Iэ = 100мА.

2. Определить входное сопротивление транзистора для источника синусоидального сигнала в режиме: Uкб = 5В, Iэ = 100мА.

3. Сравнить результаты позиций 1 с результатом позиции 2 и сформулировать вывод.

4. Определить коэффициент обратной передачи напряжения для режима: Uкб=5В, Iэ=200мА.

5. Определить статическое сопротивление участка коллекторно-базового перехода транзистора в режиме: Uкб=5В, Iэ=120мА.

6. Определить выходное сопротивление транзистора для источника синусоидального сигнала в режиме: Uкб=5В, Iэ=120мА.

7. Сравнить результат позиции 5 с результатом позиции 6 и сформулировать вывод.

8. Определить значение коэффициента передачи по току при Uкб=5В.

9. Определить значение выходной проводимости транзистора при силе тока Iэ=120мА.

10. Определить значение мощности, рассеиваемой коллектором транзистора в режиме: Uкб=12В, Iэ=200мА.

Опираясь на ход характеристик транзистора и проведенные расчеты, ответьте на следующие вопросы:

1. Если бы данный транзистор мы включили по схеме с общим эмиттером, то какие ориентировочные знания величин h11э, h12э, h21э, h22э мы бы получили? (Вычислить по приближенным формулам периода).

2. Какие недостатки присущи включению транзистора по схеме ОБ.

3. Какими достоинствами обладает включение транзистора по схеме ОБ.

4. Из выходных характеристик видно, что коллекторный ток почти не зависит от величины коллекторного напряжения. Это хорошо или плохо?

5. Почему коллекторный ток при включении по схеме ОБ существует даже при отсутствии напряжения в коллекторной цепи? Объясните это явление?

 

 

 

 

           

 

 

Наверх страницы

Внимание! Не забудьте ознакомиться с остальными документами данного пользователя!

Соседние файлы в текущем каталоге:

На сайте уже 21970 файлов общим размером 9.9 ГБ.

Наш сайт представляет собой Сервис, где студенты самых различных специальностей могут делиться своей учебой. Для удобства организован онлайн просмотр содержимого самых разных форматов файлов с возможностью их скачивания. У нас можно найти курсовые и лабораторные работы, дипломные работы и диссертации, лекции и шпаргалки, учебники, чертежи, инструкции, пособия и методички - можно найти любые учебные материалы. Наш полезный сервис предназначен прежде всего для помощи студентам в учёбе, ведь разобраться с любым предметом всегда быстрее когда можно посмотреть примеры, ознакомится более углубленно по той или иной теме. Все материалы на сайте представлены для ознакомления и загружены самими пользователями. Учитесь с нами, учитесь на пятерки и становитесь самыми грамотными специалистами своей профессии.

Не нашли нужный документ? Воспользуйтесь поиском по содержимому всех файлов сайта:



Каждый день, проснувшись по утру, заходи на obmendoc.ru

Товарищ, не ленись - делись файлами и новому учись!

Яндекс.Метрика