andrey

Путь к Файлу: /Разное / Аналоги / Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером.doc

Ознакомиться или скачать весь учебный материал данного пользователя
Скачиваний:   6
Пользователь:   andrey
Добавлен:   31.01.2015
Размер:   275.5 КБ
СКАЧАТЬ

ЛЕКЦІЯ №2

з навчальної дисципліни

“АНАЛОГОВІ ЕЛЕКТРОННІ ПРИСТРОЇ”

 

ТЕМА ЛЕКЦІЇ: Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером (СЕ)

 

 

Мета: вивчити  принципову схему, принцип дії та основні характеристики підсилювального каскаду зі СЕ

 

Література: [1] с. 14-26

Матеріально-технічне забезпечення: плакат „Підсилювальний каскад зі спільним емітером”

 

Питання заняття та розподіл часу:

1. Підсилювальний каскад з СЕ. Принцип дії. Режим по постійному струму (45 хв.)

2. Малосигнальна еквівалентна схема і підсилювальні параметри підсилювача з СЕ (45 хв.)


1. Пiдсилювальний каскад зі спільним емiтером

 

1.1. Принцип дiї, режим за постiйним струмом

 

Принципова схема підсилювального каскаду зі спільним емітером (СЕ) зображена на рис. 1.5, а.

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером
 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


Рис. 1.5

З рис. 1.5, а виходить, що емітер транзистора, з’єднаний з корпусом, є спільним електродом як для вхідного, так і для вихідного кола. Джерело підсилюваного сигналу показано у вигляді генератора ЕРС eг з внутрішнім опором Rг, які підключені до переходу база-емітер транзистора. До складу підсилювача входять:

джерело постійної напруги Ек, підключене до колекторного кола транзистора;

транзистор, працюючий в активному (лінійному) режимі, для чого емітерний р-n перехід повинен бути відкритим, а колекторний – закритим;

резистор Rб, який забезпечує при відсутності вхідного сигналу таке значення постійного базового струму у робочій точці

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером                                               (1.13)

за якого транзистор знаходиться в активному режимі. При цьому постійна напруга між базою та емітером Vбе рт становить для малопотужних кремнієвих транзисторів приблизно (0,5...0,7) В [19]. Маючи на увазі, що Iб рт в активному режимі таких транзисторів звичайно становить десяті - соті долі міліампера, а типове значення Ек становить декілька вольт, із (1.13) знаходимо величину Rб ~ 10 кОм ... 100 кОм. Часто резистор Rб має назву режимного резистора;

резистор RК, який разом з резистором Rн відіграє роль опору навантаження підсилювача по змінному струму

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером                                                  (1.14)

роздільний конденсатор Cр1, який забезпечує проходження лише змінної напруги підсилюваного сигналу до входу підсилювача та виключає проходження до нього постійної напруги, бо вона буде впливати на режим роботи транзистора. Аналогічну роль відіграє й конденсатор Ср2. Падіння змінної напруги на цих конденсаторах повинно бути мінімальним. Для цього необхідно, щоб на частоті с вхідного сигналу виконувались співвідношення

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітеромБазовий підсилювальний каскад зі спільним емітером                                 (1.15)

де Rвх - вхідний опір підсилювача.

Розглянемо принцип дії підсилювача, для чого зобразимо його у вигляді еквівалентної схеми (рис. 1.5, б). На рис. 1.5, б замість режимного резистора Rб зображено джерело постійної напруги Vбе рт, яке забезпечує роботу транзистора в активному режимі. Джерело підсилюваного сигналу зображено у вигляді генератора змінної напруги uвх, а навантаження у вигляді резистора Rкн (1.14). Амплітуду вхідної напруги Uвх будемо вважати малою, щоб вольт-амперні характеристики транзистора можна було вважати лінійними.

Зміна вхідної напруги uвх(t) приводить до зміни напруги на переході база - емітер, тобто до зміни величини базового струму iб(t). Колекторний струм iк(t) = b iб(t) також буде змінюватись по закону зміни вхідної напруги, бо коефіцієнт підсилення струму b транзистора можна вважати постійним.* Тоді падіння напруги на постійному резисторі Rкн [uвих(t) = iк(t)Rкн] також буде повторювати закон зміни uвх(t), а амплітуда вихідної напруги Uвих може бути значно більшою від амплітуди Uвх при достатньо великому опорі Rкн. Але не треба вважати, що з ростом Rкн можна отримати як завгодно великий коефіцієнт підсилення напруги Кu = Uвих/Uвх. Для незалежності змінної складової колекторного струму від опору Rкн, а також для збереження великого значення коефіцієнта b необхідно виконання співвідношення

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером                                                  (1.16)

де Rвих т = Diк/Duк  - вихідний опір транзистора для змінного струму.

Відомо [13], що для схеми зі спільним емітером транзистор має вихідний опір, який становить від декількох кОм до декількох десятків кОм. Тоді з останнього співвідношення виходить, що опір Rкн становить сотні Ом ... одиниці кОм.

Для додаткового пояснення принципу дії підсилювача розглянемо часові діаграми на рис. 1.5, в, зображені у випадку, коли на вході присутні гармонічні коливання ег = Егsin wсt з малою амплітудою (режим А, рис. 1.4, а). До приходу цих коливань (ег = 0) через транзистор течуть постійні струми Ібрт, Ікрт, а на електродах транзистора існують постійні напруги Vберт, Vкрт, які й визначають його режим роботи (робочу точку). Для гармонічної вхідної напруги робочу точку вибирають посередині активної області на вихідних вольт-амперних характеристиках транзистора (т. А2, рис. 1.6), тобто Vберт » 0,6 В (для малопотужних кремнієвих транзисторів); Vкрт » Ек/2, Ікрт Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером Ек/2Rк.

Коли ег(t) > 0, то емітерний перехід n-p-n транзистора становиться ще більш відкритим, струми iб та iк зростають, а при ег(t) < 0 – iб та iк зменшуються (рис. 1.5, в). При цьому закони зміни напруги на емітерному переході та струмів iб, iк залишаються гармонічними, бо транзистор працює в режимі А (рис. 1.4, а):

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером                            (1.17)

Для спрощення аналізу спочатку припустимо, що Rн >> Rк. Тоді змінна складова колекторного струму тече лише через резистор Rк та утворює на ньому падіння напруги, яке змінює колекторну напругу

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером    (1.18)

У загальному випадку змінна складова колекторного струму тече через резистори Rк та Rн обернено пропорційно їх опорам та утворює на них змінну складову колекторної напруги з амплітудою

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером                                    (1.19)

Знак “мінус” у співвідношенні (1.18) означає, що з ростом колекторного струму напруга на колекторі зменшується (рис. 1.5, в). На вихід підсилювача проходить лише змінна складова колекторної напруги. Якщо нехтувати падінням змінної напруги на роздільному конденсаторі Ср2, то вихідна напруга дорівнює

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером                      (1.20)

З (1.18), (1.20) виходить, що знак вихідної напруги протилежний знаку вхідної напруги в кожний момент часу. Отже, підсилювач з СЕ змінює фазу вхідного сигналу на 180 °.

Форма вихідного сигналу не відрізняється від форми вхідного (рис. 1.5, в) не лише при достатньо малих амплітудах вхідного сигналу, а й при правильному виборі положення робочої точки. При дуже малих значеннях Iбрт, Iкрт будуть обмежуватись негативні півхвилі вхідної напруги завдяки відсічці колекторного струму, а при дуже великих Iбрт, Iкрт будуть обмежуватись позитивні півхвилі вхідної напруги завдяки переходу транзистора в насичений режим. Методика визначення правильного положення робочої точки може бути графічною, аналітичною та графоаналітичною. Графічна методика має обмежене використання завдяки відсутності в довідниках вхідних характеристик більшості транзисторів. Аналітична методика базується на співвідношеннях між струмами в транзисторі та знаннях їх основних параметрів: статичних коефіцієнтів передачi струму в схемі з СЕ (b) та в схемі з СБ (a), а також на приблизному значенні напруги між базою та емітером в активному режимі транзистора (Vберт).

Під час експлуатації часто виникає необхідність у перевірочному розрахунку режиму роботи підсилювача, коли відомі всі елементи схеми, а також значення напруги живлення Ек (рис. 1.5, а). Послідовність перевірочного аналітичного розрахунку буде такою:

із довідників по транзисторах знаходимо значення Uберт;

із співвідношення (1.13) визначаємо значення Iбрт;

вважаючи, що диференційний b та статичний В коефіцієнти підсилення струму в каскаді з СЕ приблизно рівні, із співвідношення

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером                                                  (1.21)

знаходимо значення колекторного струму в робочій точці;

із рівняння Кірхгофа для вихідного кола підсилювача Ек = Vкрт + IкртRкн визначаємо колекторну напругу в робочій точці

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером

(1.22)

Значення напруги Vкрт повинно відповідати умовам

Vк макс – Uк > Vкрт > Vк мін + Uк,

де Vк макс – максимально допустима напруга між колектором та емітером;

     Uк  – амплітуда підсиленої напруги на колекторі;

     Vк мін – колекторна напруга, відповідна межі між насиченим та активним режимами транзистора.

Для малопотужних транзисторів Vк мін » 1 В, для потужних Vк мін » 2 ... 3 В.

Графоаналітична методика базується на знаннях основних параметрів транзисторів, а також їх статичних вихідних характеристик iк = f(uке). Знання цих характеристик дозволяє більш точно визначити значення Iкрт та Vкрт.

Послідовність перевірочного графоаналітичного розрахунку буде такою:

із довідників з транзисторів знаходять значення Vберт;

із співвідношення (1.13) визначають величину Iбрт;

на статичних вихідних характеристиках (рис. 1.6) транзистора будують лінію навантаження iк = (Ек – uк)/Rк, яка має знаходитись нижче від гіперболи (рис. 1.6, пунктир) iк = Рдоп/uке, де Рдоп – максимально допустима потужність, розсіяна на транзисторі;

на перетині лінії навантаження та статичної вихідної характеристики для отриманого Iбрт визначаємо положення робочої точки, яке дає однозначні величини Iкрт, Vкрт. На рис. 1.6 показані типові положення робочої точки для негативного (р. т. А1), двoполярного (р. т. А2) та позитивного (р. т. А3) вхідних сигналів підсилювача на n-р-n транзисторі, працюючому в режимі А.

Для перевірки наявності нелінійних спотворень підсилюваного сигналу, як правило, будують також динамічну лінію навантаження, яка має врахувати протікання змінної складової колекторного струму як через Rк, так і через Rн. Тому динамічна лінія навантаження перетинає вісь ординат у точці Ек/Rкн, а за відсутності вхідного сигналу проходить через робочу точку. На рис. 1.6 як приклад штрих-пунктиром побудована динамічна лінія навантаження.

Якщо точки перетину цієї лінії з вихідними характеристиками транзистора (А1, А2, А3) перенести на сім'ю вхідних характеристик iб = f(uбе), то можна отримати передаточну характеристику підсилювача iк = f(uбе). Типовий вигляд передаточної характеристики підсилювача на n-р-n транзисторі зображений на рис. 1.4, а, де також як приклад зображений вхідний гармонічний сигнал.

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером

Рис. 1.6.

 
Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером
 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


Передаточна характеристика дозволяє не тільки врахувати нелінійність вхідних характеристик транзистора, але й залежність його коефіцієнта підсилення струму b від режиму роботи транзистора [17]. Тому, наприклад, у випадку гармонічного вхідного сигналу робоча точка повинна знаходитись у центрі лінійної частини передаточної характеристики (рис. 1.4, а), щоб забезпечити мінімальні нелінійні спотворення підсилюваного сигналу в усьому діапазоні зміни його амплітуд.

На закінчення треба зазначити, що навіть графічні методи розрахунку не забезпечують абсолютно точну перевірку правильності вибору положення робочої точки підсилювача, бо характеристики транзистора, як і його параметри, мають дуже великий статистичний розкид. Тому на практиці в занадто високій точності розрахунків немає потреби, для перевірки режиму роботи підсилювача достатньо приблизних аналітичних розрахунків за формулами 1.13, 1.21, 1.22. Якщо розраховані значення значно відрізняються від заміряних експериментально, то можливою причиною може бути вихід з ладу транзистора. При його заміні, як правило, величини Iбрт, Uберт повертають свої колишні значення, але Iкрт та Uкрт можуть значно відрізнятись від своїх номінальних значень завдяки великому розкиду параметра β транзистора.

 

2. Малосигнальна еквівалентна схема і підсилювальні параметри підсилювача з ЗЕ

2. 1. Пiдсилювальнi параметри каскаду  з загальним емiтером

 

Визначення підсилювальних (зовнішніх) параметрів Rвх, Rвих, Ки, Ке, Кі, Kp було дано в підрозд.1.1. Для їх знаходження треба знати амплітуди змінних складових вхідних і вихідних струмів і напруг, а також ЕРС на вході та виході підсилювача (рис. 1.1). З метою знаходження цих амплітуд зобразимо еквівалентну схему підсилювача для змінних складових напруг та струмів, які течуть через нього. Транзистор підсилювача зобразимо у вигляді Т-подібної еквівалентної схеми (рис. 1.7, пунктир) [13], до якої відповідно принциповій схемі підсилювача (рис.1.5, а) підключимо резистори Rб, Rк, а також генератор ЕРС підсилюваного сигналу ег зі своїм внутрішнім опором Rг та резистор навантаження Rн. Нагадаємо, що малими літерами rб, rе та rк позначені відповідно опір матеріалу бази й емітера відкритого транзистора та опір його закритого колекторного переходу. Крім того, на рис. 1.7 показані напрями руху змінних складових струмів у підсилювачі в якийсь момент часу. Амплітудні значення цих струмів, а також вхідної та вихідної напруг показані великими прописними літерами J та U відповідно.

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером
 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


Схема на рис. 1.7 є еквівалентною лише в діапазоні середніх частот, де можна нехтувати залежністю параметрів транзистора від частоти, а також впливом паразитних ємностей монтажу та індуктивностей провідників у підсилювачі. Як бачимо, на еквівалентній схемі також відсутні джерело постійної напруги Ек та роздільні конденсатори Ср, які мають близький до нуля опір у діапазоні середніх частот (1.15). Таким чином, еквівалентна схема не має реактивних елементів, тобто не буде ніяких фазових зсувів між струмами та напругами на вході та виході підсилювача.

Амплітуду Uвх (рис. 1.7) будемо вважати малою, тоді параметри еквівалентної схеми rб, rе, rк, b можна вважати постійними, а транзистор - працюючим у активному режимі, де між амплітудами його змінних струмів діють відомі співвідношення [13]

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером                       (1.23)

Завдяки останньому обмеженню параметри підсилювачів, які будуть визначатись у підрозд. 1.3.2, 1.4.2, 1.5.2, часто звуть малосигнальними параметрами.

 

Вхідний опір підсилювача (Rвх)

 

З визначення (1.6) для знаходження Rвх треба мати вираз для амплітуди вхідного струму Jвх. Із рис. 1.7 бачимо, що величина Jвх може бути знайдена із співвідношення

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером

де Rвх т = Uбе/Jб - вхідний опір транзистора в схемі з СЕ.

Із останнього співвідношення маємо

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером.

(1.24)

Підставляючи останнє співвідношення у (1.6) і враховуючи, що Uвх = = Uбе, отримуємо

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером,

(1.25)

тобто вхідний опір підсилювача дорівнює опору паралельно з'єднаних Rб та Rвхт. Дуже часто Rб >> Rвх т, тоді Rвх » Rвх т.

З еквівалентної схеми підсилювача ми бачимо, що Uбe = Uвх = Jбrб + Jеre. Тоді

Rвх т = rб + (1 + β)rе.

(1.26)

Якщо значення rб та re відсутні в довідниках, то їх можна визначити, скориставшись співвідношеннями

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером

(1.27)

де     tк, Cк  - стала часу та ємність колекторного переходу транзистора;

jт » 25 мВ  - температурний потенціал [8].

Через те, що опір матеріалу бази rб становить десятки - сотні Ом, опір rе - одиниці - десятки Ом, а коефіцієнт підсилення, звичайно, b ~ 10 - 100, то з (1.26) виходить, що типове значення вхідного опору підсилювача з СЕ становить сотні Ом - одиниці кОм.

Коефіцієнт підсилення ЕPС (Ке)

Комплексний коефіцієнт підсилення ЕРС Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером в області середніх частот має початкову фазу Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером

на що вказує протилежність напрямів вхідного та вихідного струмів у кожен момент часу (рис 1.7). Останнє рівняння підкреслює ту обставину, що каскад з СЕ змінює початкову фазу вхідного сигналу на 180° (1.20).

Із значення (1.7) Ке = Uвих/Eг. З рис. 1.7 виходить, що Uвих = JкRкн.  Амплітуда вхідної ЕРС (рис. 1.7) дорівнює Ег = Jвх(Rг + Rвх). Якщо вважати Rб >> Rвх т, то Jвх » Jб і з урахуванням (1.26) отримаємо

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером                            (1.28)

З (1.28) виходить, що для значного підсилення ЕРС її генератор повинен мати малий внутрішній опір Rг, а підсилювач мати - великий опір навантаження Rкн. Але треба мати на увазі, що при значному зростанні Rк значно зменшується постійна складова колекторного струму Iкрт, що веде до зменшення b (1.28).

Коефіцієнт підсилення напруги (Кu)

Через те, що Кu = Uвих/Uвх, скористаємося співвідношеннями Uвих = JкRкн,  Uвх = JвхRвх (рис. 1.7).

Якщо вважати Rб >> Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером, то Jвх = Jб і з урахуванням (1.26) отримаємо

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером.                                     (1.29)

Порівнюючи останній вираз з (1.28), бачимо, що Ки завжди більше, ніж Ке, бо частина ЕРС підсилюваного сигналу марно втрачається на опорі Rг, а підсилюється лише друга частина, яку ми назвали вхідною напругою Uвх = Eг – JвхRг.

Для оцінки типового значення Кu припустимо, що підсилювач підсилює гармонічний сигнал (Vкрт » Ек/2). Тоді з (1.22) маємо

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером.

Якщо вважати, що rб << (1 + b)rе, Rкн » Rк, Iкрт » Iерт, то з (1.29) з урахуванням останньої формули та (1.27) отримаємо

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером.

(1.30)

Отже, можна зробити висновок, що при низьковольтних значеннях Ек величина Кu не перевищує декількох сотень.

Через те, що в області середніх частот початкові фази Eг та Uвх збігаються, отримуємо argKu  =  argKe  =  π.

Коефіцієнт підсилення струму (Кі)

Оскільки Кі = Jвих/Jвх, то знаходимо вирази для амплітуд вхідного та вихідного струмів. З еквівалентної схеми (рис. 1.7) бачимо, що JвихRн = JкRкн; JвхRвх = JбRвх т.

З останніх виразів отримаємо

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером.

(1.31)

Тоді коефіцієнт підсилення струму дорівнює

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером

(1.32)

Із останнього виразу виходить, що Кі завжди менше, ніж b. Але якщо Rк >> Rн і Rб >> Rвх т, то підсилювач із CЕ може підсилювати струм майже у b разів.

Коефіцієнт підсилення потужності (Кр)

Із визначення (1.9) і з урахуванням (1.29) коефіцієнт Кр дорівнює

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером.

(1.33)

Для оцінки значення Кр можна скористатись іншим співвідношенням Кр = КіКu. Через те, що в підсилювача з CЕ Кu >> 1 та Кі >> 1, то це означає, що він може підвищувати вхідну потужність у декілька сотень – тисяч разів.

 

Вихідний опір підсилювача (Rвих)

З еквівалентної схеми (рис. 1.7) ми бачимо, що вихідний опір підсилювача дорівнює опору паралельно з'єднаних резистора Rк та вихідного опору транзистора Rвих т для змінної складової колекторного струму

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером.

(1.34)

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітеромБазовий підсилювальний каскад зі спільним емітеромВеличина Rвих т визначається нахилом вихідних характеристик транзистора в активній області (рис. 1.8).

З рис.1.8 виходить, що

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером,

(1.35а)

де Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером – потенціал Ерлі, який становить для n-р-n транзисторів (100...150) В, а для р-n-р транзисторів – (60...100) В [4]. Якщо відомо значення опору rк закритого колекторного переходу транзистора, то можна теж скористатись приблизним співвідношенням

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером.

(1.35б)

З виразів 1.35а, б виходить, що типове значення Rвих т для малопотужних транзисторів становить десятки кОм, тому часто вважають Rвих » Rк.

Іншим засобом знаходження підсилювальних параметрів каскаду з СЕ є їх визначення через внутрішні параметри транзистора, зображеного для малих вхідних сигналів у вигляді лінійного чотириполюсника. З курсу теорії електрорадіокіл [14] відомо, що існує шість основних форм лінійних рівнянь, які зв'язують між собою малі змінні складові струмів та напруг на вході та виході чотириполюсника. Всі ці форми рівноцінні й можуть бути використані для знаходження підсилювальних параметрів каскаду з СЕ. При використанні Y параметрів транзистора вищевказані рівняння  для схеми з СЕ мають вигляд

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером                                         (1.36)

Нагадаємо, що в системі Y-параметрів:

Y11 та Y22 - вхідна та вихідна комплексні провідності транзистора;

Y21 та Y12 - комплексні провідності прямої та зворотної передачі транзистора.

У діапазоні порівняно низьких частот (до декількох МГц) Y-параметри можна вважати чисто дійсними, тобто вони перетворюються в g-параметри g11, g12, g21, g22, при цьому g12  » 0 [13].

Визначимо підсилювальні параметри каскаду з СЕ через g-параметри транзистора цього каскаду.

Через те, що Uвих = JкRкн (рис 1.7), Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером В активному режимі транзистора при малих Uвх відношення Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером тоді отримаємо

Ku = g21 Rкн.

(1.37)

Величина g21 визначається крутістю передаточної характеристики транзистора в робочій точці (див. рис. 1.4, а). За відсутності в довідниках передаточної характеристики транзистора для знаходження g21 користуються приблизними аналітичними співвідношеннями. При цьому вважають, що [13]

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером,                                 (1.38)

де Іебо - зворотний струм емітерного р-n переходу.

Після диференціювання (1.38) в робочій точці отримаємо

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером.

(1.39)

З рис. 1.7 бачимо, що вхідна провідність підсилювача

gвх = g11 + 1/Rб » g11,

бо для схеми з СЕ g11 >> 1/Rб. Знайдемо g11. За визначенням вхідна провідність транзистора в робочій точці Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером

Через те, що iб = ік/b , скористуємося виразом (1.38):

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером.

Таким чином, з урахуванням (1.39) отримаємо приблизний вираз

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером.

(1.40)

Для знаходження коефіцієнта підсилення ЕРС скористуємось його визначенням через вхідну напругу (1.9) Uвх = ЕгRвх/(Rг + Rвх), звідки Ег = Uвх[1 + (Rг/Rвх)]. Тоді

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером,                (1.41)

де Квх = Rвх/(Rг + Rвх) - коефіцієнт передачі напруги вхідного кола підсилювача.

З рис. 1.7 бачимо, що вихідна провідність підсилювача дорівнює

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером,                                                 (1.42)

де g22 = (diк)/(duк) - вихідна провідність транзистора, яка визначається нахилом вихідних вольт-амперних характеристик транзистора в робочій точці.

Тоді з рис. 1.8 та (1.35) маємо

Базовий підсилювальний каскад зі спільним емітером.

Підсумовуючи вищесказане, можна зробити висновки, що:

підсилювальний каскад з СЕ забезпечує підсилення як по напрузі, так і по струму, тому він має велике підсилення потужності вхідного сигналу;

вхідний опір підсилювача з СЕ має той же порядок, що й вихідний, тобто каскад з СЕ може бути використаний у багатокаскадних підсилювачах;

у зв'язку з досить великим вихідним опором каскад із СЕ не може бути використаний як підсилювач напруги з низькоомним навантаженням.

 

 


*Строго кажучи, величина b = const лише при порівняно малих амплітудах Uвх. Для малопотужних транзисторів можна вважати b = const, якщо Uвх < (0,1...0,2) В.

Наверх страницы

Внимание! Не забудьте ознакомиться с остальными документами данного пользователя!

Соседние файлы в текущем каталоге:

На сайте уже 21970 файлов общим размером 9.9 ГБ.

Наш сайт представляет собой Сервис, где студенты самых различных специальностей могут делиться своей учебой. Для удобства организован онлайн просмотр содержимого самых разных форматов файлов с возможностью их скачивания. У нас можно найти курсовые и лабораторные работы, дипломные работы и диссертации, лекции и шпаргалки, учебники, чертежи, инструкции, пособия и методички - можно найти любые учебные материалы. Наш полезный сервис предназначен прежде всего для помощи студентам в учёбе, ведь разобраться с любым предметом всегда быстрее когда можно посмотреть примеры, ознакомится более углубленно по той или иной теме. Все материалы на сайте представлены для ознакомления и загружены самими пользователями. Учитесь с нами, учитесь на пятерки и становитесь самыми грамотными специалистами своей профессии.

Не нашли нужный документ? Воспользуйтесь поиском по содержимому всех файлов сайта:



Каждый день, проснувшись по утру, заходи на obmendoc.ru

Товарищ, не ленись - делись файлами и новому учись!

Яндекс.Метрика